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Référence fabricant | APT106N60B2C6 |
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Numéro de pièce future | FT-APT106N60B2C6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
APT106N60B2C6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 106A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 53A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 308nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8390pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 833W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | T-MAX™ [B2] |
Paquet / caisse | TO-247-3 Variant |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT106N60B2C6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT106N60B2C6-FT |
APT28M120L
Microsemi Corporation
APT34F100L
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Microsemi Corporation
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel