maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON6910A
Référence fabricant | AON6910A |
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Numéro de pièce future | FT-AON6910A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON6910A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.1A, 16A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.9W, 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6910A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON6910A-FT |
DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
DMN66D0LDW-7
Diodes Incorporated
2N7002DW-7-F
Diodes Incorporated
BSS84DW-7-F
Diodes Incorporated
DMN63D8LDW-7
Diodes Incorporated
DMC2004DWK-7
Diodes Incorporated
BSS8402DW-7-F
Diodes Incorporated
DMN53D0LDW-7
Diodes Incorporated
DMN65D8LDW-7
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7
Diodes Incorporated
XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation