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Référence fabricant | 2N7002DW-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-2N7002DW-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N7002DW-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 230mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Puissance - Max | 310mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002DW-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N7002DW-7-F-FT |
ZXMN10A08DN8TC
Diodes Incorporated
ZXMN2A04DN8TC
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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DMN32D2LDF-7
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DMN1033UCB4-7
Diodes Incorporated
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS1500-1FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C8N
Intel
XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
5AGXBB1D4F35I5N
Intel
EP20K400CB652C8
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel