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Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TC

Numéro de pièce MFG
ZXMN2A04DN8TC
quantité disponible
86950 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
ZXMN2A04DN8TC.pdf
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ZXMN2A04DN8TC Caractéristiques

Référence fabricant ZXMN2A04DN8TC
Numéro de pièce future FT-ZXMN2A04DN8TC
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
ZXMN2A04DN8TC Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22.1nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1880pF @ 10V
Puissance - Max 1.8W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SOP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN2A04DN8TC Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ZXMN2A04DN8TC-FT

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