maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON3816
Référence fabricant | AON3816 |
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Numéro de pièce future | FT-AON3816 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON3816 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
Puissance - Max | 2.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (2.9x2.3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON3816 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON3816-FT |
DMN62D0UT-13
Diodes Incorporated
DMP2200UDW-13
Diodes Incorporated
DMP2200UDW-7
Diodes Incorporated
BSS138DW-7-F
Diodes Incorporated
DMC3400SDW-13
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DMC3400SDW-7
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DMN2004DWK-7
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DMN33D8LDW-13
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DMN61D9UDW-13
Diodes Incorporated
A42MX24-PQG208
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F484C6
Intel
EP4CE30F23A7N
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
XC5VSX240T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel