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Référence fabricant | DMN33D8LDW-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN33D8LDW-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN33D8LDW-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 250mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 48pF @ 5V |
Puissance - Max | 350mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN33D8LDW-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN33D8LDW-13-FT |
DMN2028UFDH-7
Diodes Incorporated
ZXMD63P02XTA
Diodes Incorporated
ZXMD63C02XTA
Diodes Incorporated
ZXMD63P03XTA
Diodes Incorporated
ZXMD63N02XTA
Diodes Incorporated
ZXMD63N03XTA
Diodes Incorporated
ZXMD63C02XTC
Diodes Incorporated
ZXMD63C03XTA
Diodes Incorporated
ZXMD63C03XTC
Diodes Incorporated
ZXMD63N02XTC
Diodes Incorporated
XC7A50T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
Intel
EP4SGX290FF35I4
Intel