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Référence fabricant | ZXMD63C02XTC |
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Numéro de pièce future | FT-ZXMD63C02XTC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZXMD63C02XTC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.04W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-MSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMD63C02XTC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZXMD63C02XTC-FT |
DMC4029SSD-13
Diodes Incorporated
DMC4029SSDQ-13
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A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel