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Référence fabricant | DMN62D0UT-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN62D0UT-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
DMN62D0UT-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
Caractéristique FET | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN62D0UT-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN62D0UT-13-FT |
DMC1016UPD-13
Diodes Incorporated
DMTH4007SPD-13
Diodes Incorporated
DMTH4011SPD-13
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ZXMD63P02XTA
Diodes Incorporated
AT6002A-4AC
Microchip Technology
LFXP6C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-5FG400C
Xilinx Inc.
APA300-FG256
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG236C
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel