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Référence fabricant | DMC6070LND-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMC6070LND-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMC6070LND-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.1A, 2.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 731pF @ 20V |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC6070LND-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMC6070LND-13-FT |
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XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A3P600-2FG256
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759I
Xilinx Inc.