maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON2800
Référence fabricant | AON2800 |
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Numéro de pièce future | FT-AON2800 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON2800 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
Puissance - Max | 1.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DFN-EP (2x2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON2800 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON2800-FT |
DMN61D9UDW-7
Diodes Incorporated
DMN62D0UDW-7
Diodes Incorporated
DMN601DWKQ-7
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DMN33D8LDW-7
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Diodes Incorporated
DMN32D4SDW-13
Diodes Incorporated
DMN32D4SDW-7
Diodes Incorporated
DMN5L06DWK-7
Diodes Incorporated
DMN62D0UT-13
Diodes Incorporated
A54SX16P-1TQ144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel