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Diodes Incorporated DMN3190LDW-13

Name: DMN3190LDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3190LDW-13
Price: 0.06272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (681 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN3190LDW-13

quantité disponible: 37110 Pièces

Prix de référence: USD 0.06272

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN3190LDW-13.pdf

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DMN3190LDW-13 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN3190LDW-13
Numéro de pièce future	FT-DMN3190LDW-13
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN3190LDW-13 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	87pF @ 20V
Puissance - Max	320mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur	SOT-363
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3190LDW-13 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN3190LDW-13-FT

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