maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AOD607_001
Référence fabricant | AOD607_001 |
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Numéro de pièce future | FT-AOD607_001 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOD607_001 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel Complementary |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252-4L |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOD607_001 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOD607_001-FT |
DMN67D8LDW-7
Diodes Incorporated
BSS138DWQ-13
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XC6SLX150T-N3FG900C
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Xilinx Inc.
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LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
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EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel