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Référence fabricant | DMG6301UDW-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMG6301UDW-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMG6301UDW-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 240mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.36nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 27.9pF @ 10V |
Puissance - Max | 300mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG6301UDW-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMG6301UDW-7-FT |
ZXMD63C03XTC
Diodes Incorporated
ZXMD63N02XTC
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Diodes Incorporated
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
Intel
EP4S100G5F45I1N
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
Intel
EP2AGX65DF29I3
Intel