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Diodes Incorporated DMN67D8LDW-7

Name: DMN67D8LDW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN67D8LDW-7
Price: 0.06912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (538 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN67D8LDW-7

quantité disponible: 51340 Pièces

Prix de référence: USD 0.06912

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN67D8LDW-7.pdf

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DMN67D8LDW-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN67D8LDW-7
Numéro de pièce future	FT-DMN67D8LDW-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN67D8LDW-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	230mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.82nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V
Puissance - Max	320mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur	SOT-363
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN67D8LDW-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN67D8LDW-7-FT

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