maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AOC2800
Référence fabricant | AOC2800 |
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Numéro de pièce future | FT-AOC2800 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOC2800 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.3W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-UFBGA, WLCSP |
Package d'appareils du fournisseur | 4-WLCSP (1.57x1.57) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOC2800 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOC2800-FT |
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DMN63D8LDWQ-7
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