maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / AFT18HW355SR6
Référence fabricant | AFT18HW355SR6 |
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Numéro de pièce future | FT-AFT18HW355SR6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AFT18HW355SR6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS (Dual) |
La fréquence | 1.88GHz |
Gain | 15.2dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 1.1A |
Puissance - sortie | 63W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | NI-1230S |
Package d'appareils du fournisseur | NI-1230S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AFT18HW355SR6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AFT18HW355SR6-FT |
275-102N06A-00
IXYS-RF
150-102N02A-00
IXYS-RF
150-201N09A-00
IXYS-RF
150-501N04A-00
IXYS-RF
150-101N09A-00
IXYS-RF
475-102N21A-00
IXYS-RF
275-101N30A-00
IXYS-RF
IXZ210N50L2
IXYS-RF
IXZ308N120
IXYS-RF
475-102N20A-00
IXYS-RF
EP1C3T144C7N
Intel
AGLE600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F23C8N
Intel
5SGXEA7K2F40C2
Intel
XC7VX550T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I3
Intel