maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / 150-101N09A-00
Référence fabricant | 150-101N09A-00 |
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Numéro de pièce future | FT-150-101N09A-00 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DE |
150-101N09A-00 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | N-Channel |
La fréquence | - |
Gain | - |
Tension - Test | - |
Note actuelle | 9A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | - |
Puissance - sortie | 200W |
Tension - nominale | 100V |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DE150 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
150-101N09A-00 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 150-101N09A-00-FT |
NE3515S02-A
CEL
NE3515S02-T1C-A
CEL
NE3516S02-A
CEL
NE3516S02-T1C-A
CEL
NE3520S03-A
CEL
NE3520S03-T1C-A
CEL
MWT-A973
Microwave Technology Inc.
MWT-773
Microwave Technology Inc.
MWT-173
Microwave Technology Inc.
VRF3933
Microsemi Corporation
EP20K60ETC144-2X
Intel
M1A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C4N
Intel
XC7VX690T-2FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FFG1759I
Xilinx Inc.
AGL400V2-FG144T
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation