maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / IXZ308N120
Référence fabricant | IXZ308N120 |
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Numéro de pièce future | FT-IXZ308N120 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Z-MOS™ |
IXZ308N120 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | N-Channel |
La fréquence | 65MHz |
Gain | 23dB |
Tension - Test | 100V |
Note actuelle | 8A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | - |
Puissance - sortie | 880W |
Tension - nominale | 1200V |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DE375 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXZ308N120 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXZ308N120-FT |
NE3520S03-A
CEL
NE3520S03-T1C-A
CEL
MWT-A973
Microwave Technology Inc.
MWT-773
Microwave Technology Inc.
MWT-173
Microwave Technology Inc.
VRF3933
Microsemi Corporation
VRF2944
Microsemi Corporation
VRF2933FL
Microsemi Corporation
VRF2933
Microsemi Corporation
VRF157FL
Microsemi Corporation
XC7A35T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240I
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX16A-2PQG208
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100T
Microsemi Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
XC5VLX50-3FFG1153C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB3D4F35C5N
Intel
5SGSMD4H3F35C2LN
Intel