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NXP USA Inc. A2G35S200-01SR3

Name: A2G35S200-01SR3
Brand: NXP USA Inc.
SKU: A2G35S200-01SR3
Price: 98.748672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (406 reviews)

Numéro de pièce MFG: A2G35S200-01SR3

quantité disponible: 38160 Pièces

Prix de référence: USD 98.748672

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fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - RF

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: A2G35S200-01SR3.pdf

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A2G35S200-01SR3 Caractéristiques

Référence fabricant	A2G35S200-01SR3
Numéro de pièce future	FT-A2G35S200-01SR3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
A2G35S200-01SR3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	3.4GHz ~ 3.6GHz
Gain	16.1dB
Tension - Test	48V
Note actuelle	-
Figure de bruit	-
Courant - Test	291mA
Puissance - sortie	180W
Tension - nominale	125V
Paquet / caisse	NI-400S-2S
Package d'appareils du fournisseur	NI-400S-2S
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2G35S200-01SR3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	A2G35S200-01SR3-FT

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