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Référence fabricant | PD20010TR-E |
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Numéro de pièce future | FT-PD20010TR-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD20010TR-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2GHz |
Gain | 11dB |
Tension - Test | 13.6V |
Note actuelle | 5A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 150mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010TR-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD20010TR-E-FT |
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
NE5550234-AZ
CEL
NE5550234-T1-AZ
CEL
VMMK-1218-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1218-TR1G
Broadcom Limited
VMMK-1225-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1225-TR1G
Broadcom Limited
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665CES
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA225C
Xilinx Inc.
XC6SLX4-3CSG225C
Xilinx Inc.
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-12F-8BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP1S40F1508C5
Intel