maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / PD20010TR-E
Référence fabricant | PD20010TR-E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PD20010TR-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD20010TR-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2GHz |
Gain | 11dB |
Tension - Test | 13.6V |
Note actuelle | 5A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 150mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010TR-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD20010TR-E-FT |
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
NE5550234-AZ
CEL
NE5550234-T1-AZ
CEL
VMMK-1218-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1218-TR1G
Broadcom Limited
VMMK-1225-BLKG
Broadcom Limited
VMMK-1225-TR1G
Broadcom Limited
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F27C7N
Intel
EPF10K130EBC600-2
Intel
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGXMA7N3F45C2N
Intel
5SGXMA5H3F35C4N
Intel
5SGXMA7H3F35I3N
Intel
XC4VFX60-10FF1152I
Xilinx Inc.