maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / PD20015-E
Référence fabricant | PD20015-E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PD20015-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PD20015-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2GHz |
Gain | 11dB |
Tension - Test | 13.6V |
Note actuelle | 7A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 350mA |
Puissance - sortie | 15W |
Tension - nominale | 40V |
Paquet / caisse | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20015-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PD20015-E-FT |
CE3512K2
CEL
CE3520K3
CEL
CE3520K3-C1
CEL
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
NE5550234-AZ
CEL
NE5550234-T1-AZ
CEL
VMMK-1218-BLKG
Broadcom Limited
LFE2-20E-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
M2GL025-VFG256
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6N2F45I3N
Intel
5SGSMD5H1F35C2N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H3F35I4N
Intel