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NXP USA Inc. A2G22S251-01SR3

Numéro de pièce MFG
A2G22S251-01SR3
quantité disponible
62710 Pièces
Prix de référence
USD 91.924704
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
A2G22S251-01SR3.pdf
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A2G22S251-01SR3 Caractéristiques

Référence fabricant A2G22S251-01SR3
Numéro de pièce future FT-A2G22S251-01SR3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
A2G22S251-01SR3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.805GHz ~ 2.2GHz
Gain 17.7dB
Tension - Test 48V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Courant - Test 200mA
Puissance - sortie 52dBm
Tension - nominale 125V
Paquet / caisse NI-400S-2S
Package d'appareils du fournisseur NI-400S-2S
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2G22S251-01SR3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange A2G22S251-01SR3-FT

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