maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / A1N5404G-G
Référence fabricant | A1N5404G-G |
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Numéro de pièce future | FT-A1N5404G-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
A1N5404G-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-27 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A1N5404G-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A1N5404G-G-FT |
1N6074
Semtech Corporation
1N6075
Semtech Corporation
1N6076
Semtech Corporation
1N6077
Semtech Corporation
1N6078
Semtech Corporation
1N6079
Semtech Corporation
1N6081
Semtech Corporation
1T1G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1T1G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1T1G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel