Référence fabricant | 1N6076 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6076 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6076 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6076 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6076-FT |
1N3174R
Powerex Inc.
1N3260
Powerex Inc.
1N3260R
Powerex Inc.
1N3261
Powerex Inc.
1N3261R
Powerex Inc.
1N3262
Powerex Inc.
1N3262R
Powerex Inc.
1N3263
Powerex Inc.
1N3263R
Powerex Inc.
1N3264
Powerex Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel