maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N3261R
Référence fabricant | 1N3261R |
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Numéro de pièce future | FT-1N3261R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N3261R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 160A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 12mA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-205AB, DO-9, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-205AB, DO-9 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3261R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N3261R-FT |
VS-VSKE320-20PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA310SHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA310SHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
1PS76SB10Z
Nexperia USA Inc.
1PS76SB21F
Nexperia USA Inc.
1PS76SB21Z
Nexperia USA Inc.
BAT760F
Nexperia USA Inc.
BAT760Z
Nexperia USA Inc.
DA2610100L
Panasonic Electronic Components
DB2631100L
Panasonic Electronic Components
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel