Référence fabricant | 1N3264 |
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Numéro de pièce future | FT-1N3264 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N3264 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 160A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 12mA @ 250V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-205AB, DO-9, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-205AB, DO-9 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3264 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N3264-FT |
1PS76SB21Z
Nexperia USA Inc.
BAT760F
Nexperia USA Inc.
BAT760Z
Nexperia USA Inc.
DA2610100L
Panasonic Electronic Components
DB2631100L
Panasonic Electronic Components
DB2631400L
Panasonic Electronic Components
DB2J20500L
Panasonic Electronic Components
DB2J30800L
Panasonic Electronic Components
DB2J31100L
Panasonic Electronic Components
DB2J40600L
Panasonic Electronic Components
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel