Référence fabricant | 1N6081 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6081 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6081 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 970mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 230pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6081 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6081-FT |
1N3261R
Powerex Inc.
1N3262
Powerex Inc.
1N3262R
Powerex Inc.
1N3263
Powerex Inc.
1N3263R
Powerex Inc.
1N3264
Powerex Inc.
1N3264R
Powerex Inc.
1N3265
Powerex Inc.
1N3265R
Powerex Inc.
1N3266
Powerex Inc.
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
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LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel