maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71256S100TDB
Référence fabricant | 71256S100TDB |
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Numéro de pièce future | FT-71256S100TDB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71256S100TDB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71256S100TDB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71256S100TDB-FT |
S25FS064SAGBHB023
Cypress Semiconductor Corp
S27KL0641DABHA023
Cypress Semiconductor Corp
S27KL0641DABHA030
Cypress Semiconductor Corp
S27KL0641DABHB023
Cypress Semiconductor Corp
S29AL008J70WGN029
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11WEI039
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11WEI049
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHI020
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHV020
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHV023
Cypress Semiconductor Corp
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
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5SGXEB6R2F43C2L
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EP4SE360F35C4
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XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
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A40MX04-PQ100M
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EP3CLS100F780I7
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EP1S25F1020I6N
Intel