maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29AL008J70WGN029
Référence fabricant | S29AL008J70WGN029 |
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Numéro de pièce future | FT-S29AL008J70WGN029 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AL-J |
S29AL008J70WGN029 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Wafer |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29AL008J70WGN029 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29AL008J70WGN029-FT |
7143SA25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA35FB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA35GB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA55G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA55GB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA90GB
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V2546S100BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V2546S100BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L35JGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L35JGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel