maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL064N11WEI039
Référence fabricant | S29GL064N11WEI039 |
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Numéro de pièce future | FT-S29GL064N11WEI039 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-N |
S29GL064N11WEI039 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 110ns |
Temps d'accès | 110ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL064N11WEI039 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL064N11WEI039-FT |
7143SA35FB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA35GB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA55G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA55GB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA90GB
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V2546S100BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V2546S100BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L35JGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L35JGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT88SC0104C-MJ
Microchip Technology
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel