maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / 6MS20017E43W37032NOSA1
Référence fabricant | 6MS20017E43W37032NOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-6MS20017E43W37032NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6MS20017E43W37032NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 55°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6MS20017E43W37032NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6MS20017E43W37032NOSA1-FT |
DF80R12W2H3_B11
Infineon Technologies
FD-DF80R12W1H3_B52
Infineon Technologies
FD1600/1200R17KF6C_B2
Infineon Technologies
FD200R12PT4B6BOSA1
Infineon Technologies
FD600R06ME3_B11_S2
Infineon Technologies
FF401R17KF6C_B2
Infineon Technologies
FP10R12W1T7B11BOMA1
Infineon Technologies
IFF450B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
IXBN42N170A
IXYS
IXBN75N170
IXYS
A54SX16A-TQ144M
Microsemi Corporation
XC7K70T-2FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
M7AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CE40U19I7N
Intel
EPF10K50SFC256-1N
Intel
10CL006ZE144I8G
Intel
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation