maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / IXBN75N170
Référence fabricant | IXBN75N170 |
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Numéro de pièce future | FT-IXBN75N170 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BIMOSFET™ |
IXBN75N170 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 145A |
Puissance - Max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 25µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.93nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBN75N170 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXBN75N170-FT |
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