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Référence fabricant | FD600R06ME3_B11_S2 |
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Numéro de pièce future | FT-FD600R06ME3_B11_S2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FD600R06ME3_B11_S2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Single Chopper |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600A |
Puissance - Max | 2250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 600A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 60nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD600R06ME3_B11_S2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FD600R06ME3_B11_S2-FT |
MUBW15-12A6K
IXYS
MUBW15-12A7
IXYS
MUBW15-12T7
IXYS
MUBW20-06A6K
IXYS
MUBW20-06A7
IXYS
MUBW25-06A6K
IXYS
MUBW25-12A7
IXYS
MUBW25-12T7
IXYS
MUBW30-06A7
IXYS
MUBW30-12A6K
IXYS
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
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5SGXEA5N1F40C2N
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10AX022E3F29I2SG
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A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel