maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N36S1(TA)-V
Référence fabricant | 4N36S1(TA)-V |
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Numéro de pièce future | FT-4N36S1(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N36S1(TA)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 10µs, 9µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N36S1(TA)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N36S1(TA)-V-FT |
EL817S(A)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(B)(TA)-V
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EL817S(C)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(D)(TA)-V
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EL817S1(A)(TA)-V
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EL817S1(C)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S2(A)(TA)-G
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EL357N(C)(TA)-VG
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EL1116(TA)-VG
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EL1013(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO1200C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC4VFX100-10FFG1517I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-3AA
Intel
A40MX04-PL44
Microsemi Corporation
A42MX16-FTQ176
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation