maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL817S2(A)(TA)-G
Référence fabricant | EL817S2(A)(TA)-G |
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Numéro de pièce future | FT-EL817S2(A)(TA)-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL817S2(A)(TA)-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 80% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 160% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 6µs, 8µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817S2(A)(TA)-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL817S2(A)(TA)-G-FT |
EL817(S1)(C)(TU)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TD)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TD)-G
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EL817(S1)(D)(TD)-V
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EL817(S1)(D)(TD)-VG
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EL817(S1)(D)(TU)
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EL817(S1)(D)(TU)-G
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EL817(S1)(D)(TU)-V
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EL817(S1)(D)(TU)-VG
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EL817(S1)(TD)
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A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-1FF784I
Xilinx Inc.
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC20E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35C5N
Intel
EP2S130F780C5N
Intel
EP2SGX30DF780C5N
Intel
EPF10K50VRC240-2N
Intel