maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL817S(D)(TA)-V
Référence fabricant | EL817S(D)(TA)-V |
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Numéro de pièce future | FT-EL817S(D)(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL817S(D)(TA)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 300% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 600% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 4µs, 3µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 35V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817S(D)(TA)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL817S(D)(TA)-V-FT |
EL817(S1)(C)(TU)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TU)-G
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EL817(S1)(C)(TU)-V
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EL817(S1)(C)(TU)-VG
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EL817(S1)(D)(TD)
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EL817(S1)(D)(TD)-VG
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EL817(S1)(D)(TU)-G
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LCMXO2-1200ZE-2TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C5
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
10CX220YF672I6G
Intel
XC2V6000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
10AX022E3F29E1SG
Intel
EP1C12Q240I7N
Intel
10M02DCV36I7G
Intel