Référence fabricant | 2W08M |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2W08M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2W08M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Circular, WOM |
Package d'appareils du fournisseur | WOM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2W08M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2W08M-FT |
GBU10J
GeneSiC Semiconductor
GBU10K
GeneSiC Semiconductor
GBU10M
GeneSiC Semiconductor
GBU15A
GeneSiC Semiconductor
GBU15B
GeneSiC Semiconductor
GBU15D
GeneSiC Semiconductor
GBU15G
GeneSiC Semiconductor
GBU15J
GeneSiC Semiconductor
GBU15K
GeneSiC Semiconductor
GBU15M
GeneSiC Semiconductor
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45C2N
Intel
5SGXEBBR3H43I3LN
Intel
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K100EBC356-3
Intel
EP4SGX530HH35C2
Intel