Référence fabricant | GBU10M |
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Numéro de pièce future | FT-GBU10M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU10M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU10M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU10M-FT |
MB05FTR
SMC Diode Solutions
MB05STR
SMC Diode Solutions
MB1FTR
SMC Diode Solutions
MB1STR
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MB2FTR
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MB2STR
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MB4FTR
SMC Diode Solutions
MB4STR
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MB8FTR
SMC Diode Solutions
MB8STR
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EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FTG256C
Xilinx Inc.
APA300-PQG208M
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E4F29E3LG
Intel
5SGXMBBR2H43I2N
Intel
XC2VP40-5FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-2CSG324Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I4LN
Intel