Référence fabricant | GBU10J |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GBU10J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU10J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU10J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU10J-FT |
GBPC3508TA
SMC Diode Solutions
GBPC3508WTA
SMC Diode Solutions
MB05FTR
SMC Diode Solutions
MB05STR
SMC Diode Solutions
MB1FTR
SMC Diode Solutions
MB1STR
SMC Diode Solutions
MB2FTR
SMC Diode Solutions
MB2STR
SMC Diode Solutions
MB4FTR
SMC Diode Solutions
MB4STR
SMC Diode Solutions
A3PN030-ZQNG68
Microsemi Corporation
EP20K30ETC144-2N
Intel
LFXP3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C8G
Intel
LFE5U-45F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35C4N
Intel