Référence fabricant | 2W06G |
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Numéro de pièce future | FT-2W06G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2W06G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Circular, WOB |
Package d'appareils du fournisseur | WOB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2W06G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2W06G-FT |
GBU10A
GeneSiC Semiconductor
GBU10B
GeneSiC Semiconductor
GBU10G
GeneSiC Semiconductor
GBU10J
GeneSiC Semiconductor
GBU10K
GeneSiC Semiconductor
GBU10M
GeneSiC Semiconductor
GBU15A
GeneSiC Semiconductor
GBU15B
GeneSiC Semiconductor
GBU15D
GeneSiC Semiconductor
GBU15G
GeneSiC Semiconductor
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel