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Renesas Electronics America 2SK4150TZ-E

Numéro de pièce MFG
2SK4150TZ-E
quantité disponible
71960 Pièces
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fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
- MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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2SK4150TZ-E Caractéristiques

Référence fabricant 2SK4150TZ-E
Numéro de pièce future FT-2SK4150TZ-E
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2SK4150TZ-E Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Last Time Buy
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 400mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7 Ohm @ 200mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4V
Vgs (Max) ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 750mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-92
Paquet / caisse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK4150TZ-E Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2SK4150TZ-E-FT

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