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Rohm Semiconductor RQ1C065UNTR

Numéro de pièce MFG
RQ1C065UNTR
quantité disponible
83110 Pièces
Prix de référence
USD 0.15748
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RQ1C065UNTR.pdf
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RQ1C065UNTR Caractéristiques

Référence fabricant RQ1C065UNTR
Numéro de pièce future FT-RQ1C065UNTR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RQ1C065UNTR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TSMT8
Paquet / caisse 8-SMD, Flat Lead
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ1C065UNTR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RQ1C065UNTR-FT

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