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Rohm Semiconductor RQ7E110AJTCR

Numéro de pièce MFG
RQ7E110AJTCR
quantité disponible
96870 Pièces
Prix de référence
USD 0.28304
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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RQ7E110AJTCR Caractéristiques

Référence fabricant RQ7E110AJTCR
Numéro de pièce future FT-RQ7E110AJTCR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RQ7E110AJTCR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 4.5A, 11V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 10mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TSMT8
Paquet / caisse 8-SMD, Flat Lead
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ7E110AJTCR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RQ7E110AJTCR-FT

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