maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 2N6770T1
Référence fabricant | 2N6770T1 |
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Numéro de pièce future | FT-2N6770T1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N6770T1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-254AA |
Paquet / caisse | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6770T1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N6770T1-FT |
UPA2631T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2814T1S-E2-AT
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Diodes Incorporated
NTMTS001N06CLTXG
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
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M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
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