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Diodes Incorporated ZXMN2F30FHQTA

Name: ZXMN2F30FHQTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2F30FHQTA
Price: 0.11284 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (154 reviews)

Numéro de pièce MFG: ZXMN2F30FHQTA

quantité disponible: 64510 Pièces

Prix de référence: USD 0.11284

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ZXMN2F30FHQTA.pdf

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ZXMN2F30FHQTA Caractéristiques

Référence fabricant	ZXMN2F30FHQTA
Numéro de pièce future	FT-ZXMN2F30FHQTA
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
ZXMN2F30FHQTA Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	452pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.4W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-23-3
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN2F30FHQTA Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ZXMN2F30FHQTA-FT

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