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Référence fabricant | UPA2631T1R-E2-AX |
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Numéro de pièce future | FT-UPA2631T1R-E2-AX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UPA2631T1R-E2-AX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 3A, 1.8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-HUSON (2x2) |
Paquet / caisse | 6-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPA2631T1R-E2-AX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UPA2631T1R-E2-AX-FT |
DMP1011LFV-13
Diodes Incorporated
DMP1011LFV-7
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Diodes Incorporated
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
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MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
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LFEC6E-3Q208I
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LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel