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Référence fabricant | UPA2631T1R-E2-AX |
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Numéro de pièce future | FT-UPA2631T1R-E2-AX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UPA2631T1R-E2-AX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 3A, 1.8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-HUSON (2x2) |
Paquet / caisse | 6-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPA2631T1R-E2-AX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UPA2631T1R-E2-AX-FT |
DMP1011LFV-13
Diodes Incorporated
DMP1011LFV-7
Diodes Incorporated
DMP1012USS-13
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DMP2010UFV-13
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A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
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