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Référence fabricant | DMP1011LFV-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP1011LFV-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP1011LFV-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 19A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 12A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 6V |
Vgs (Max) | -6V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 913pF @ 6V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.16W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP1011LFV-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP1011LFV-13-FT |
MSC140SMA120B
Microsemi Corporation
2SK3711
Sanken
2SK3801
Sanken
DMN6069SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN6069SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN62D1LFDQ-13
Diodes Incorporated
DMN62D1LFDQ-7
Diodes Incorporated
DMN7022LFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN7022LFGQ-7
Diodes Incorporated
DMP1022UFDEQ-7
Diodes Incorporated
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel