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Vishay Siliconix 2N6661JAN02

Name: 2N6661JAN02
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2N6661JAN02
Availability: InStock
Rating: 4.9 (223 reviews)

Numéro de pièce MFG: 2N6661JAN02

quantité disponible: 49330 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: - MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: 2N6661JAN02.pdf

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2N6661JAN02 Caractéristiques

Référence fabricant	2N6661JAN02
Numéro de pièce future	FT-2N6661JAN02
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
2N6661JAN02 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	90V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	860mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-39
Paquet / caisse	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N6661JAN02 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	2N6661JAN02-FT

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