maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SUM110N04-03P-E3
Référence fabricant | SUM110N04-03P-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SUM110N04-03P-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SUM110N04-03P-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 110A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.75W (Ta), 375W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D2Pak) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM110N04-03P-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SUM110N04-03P-E3-FT |
SI7882DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7882DP-T1-GE3
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SI7886ADP-T1-E3
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A3P1000-FGG256
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5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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