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Référence fabricant | SIHB30N60AEL-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIHB30N60AEL-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | EL |
SIHB30N60AEL-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 28A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2565pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 250W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D²Pak) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB30N60AEL-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIHB30N60AEL-GE3-FT |
SI7866ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7866ADP-T1-GE3
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SI7882DP-T1-E3
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
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M7A3P1000-FGG256I
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